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Zmags
应用于化合物半导体工业生产的解决方案
应用于减薄的和易损的化合物半导体基片的临时键合和键合分离技术
应用于电解质,厚胶和薄胶以及高台阶的喷涂技术
应用于器件构图和高级封装的光刻技术
应用于键合介质层转移和高级封装的晶圆键合技术
如需了解更多产品信息以及下载产品手册,敬请登录 www.evgroup.com/compoundsemi
(右上角) ISSN to be assigned
semiconductorTODAY
针对亚洲中文读者的化合物及先进半导体新闻杂志 A S I A
2013 第 2 卷第 1 期 www.semiconductor-today.com
AMEC 推出用于 HB-LED 制
造的高容量 MOCVD 平台
碳化硅外延的市场在扩大
RFMD宣布灵活的GaAs货源策略·飞利浦宣称首次实现200lm/W的高发光质量LED灯
Plessey生长6英寸硅上氮化镓LED样品·OneChip公司与IQE和GCS形成代工关系
硅上直接生长的InGaN·迈向GaNHEMT器件和CMOS的集成
薄膜成积和刻蚀
照亮LED之路
让EVATEC成为你高量产LED薄膜工艺的伙伴. 从ITO导电膜,
接触和阻挡层, 减反射和DBR膜的沉积, 到蓝宝石图形化, 我
们为客户提供大批量生产和小批量产的不同解决方案, 包括溅
射, 蒸发, PECVD和ICP刻蚀工艺设备和技术.
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LEDs · POWER DEVICES · TELECOMS · PHOTOVOLTAICS · MEMS · EVATEC - THE THIN FILM POWERHOUSE
www.evatecnet.com
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应用于化合物半导体工业生产的解决方案 应用于减薄的和易损的化合物半导体基片的临时键合和键合分离
(右上角) ISSN to be assigned semiconductorTODAY 针对亚洲
薄膜成积和刻蚀 照亮LED之路 让EVATEC成为你高量产LED薄膜工艺的伙伴. 从I
3 目录 contents 新闻 News 市场 Markets
4 社论 editorial 欢迎阅读最新一期的《今日半导体亚洲版》 欢迎阅读最新一期的今日
5 Visit us at:
6 新闻 news 到2016年LED会占照明市场的四分之一 LED照明市场在2013年将翻
新闻:市场 News: Markets 7 飞利浦宣称首次实现200lm/W的高发光质量LE
8 新闻:微电子 News: Microelectronics RFMD宣布灵活的GaAs货源
新闻:微电子 News: Microelectronics 9 㣞ྥਢPlasma-Th
10 新闻:微电子 News: Microelectronics Cree公司开始批量生产第二
SEMICONDUCT/23s3/LAR/PV新闻:宽能隙电子产品 ,%$3s-%-3s&0$
12 新闻:材料与加工设备 News: Materials and processing eq
VPE 发布用于量产氮化镓 LED 的新 MOCVD 系统 位于新泽西州布兰奇堡 (Bran
14 新闻:材料与加工设备 News: Materials and processing eq
新闻: 光通信 News: Optical communications 15 硅光子公司K
16 新闻: 光通信 News: Optical communications OneChi
18 新闻:光伏 News: Photovoltaics Sol Voltaics推出Sol
新闻:光伏 News: Photovoltaics 19 Adve
20 技术聚焦:光伏 织构ZnO提高了锗上III-V族太阳 能电池的性能 转换效率从24%增加
技术聚焦:光伏 21 图3
22 市场聚焦:氮化物材料 氮化镓生长温度降低到500℃ 预沉积一薄层的铟可以提高GaN的质量
市场聚焦:氮化物材料 23
24 市场聚焦:氮化物材料 硅上直接生长的InGaN 制作的高In含量的材料具有氮化物层和硅之
市场聚焦:氮化物材料 25 的空间”。 n型InGaN和p型Si衬底之 间的结的电流-电压测量
26 技术聚焦:氮化物材料 将光电化学和催化用于GaN 的平面化 均方根粗糙度已经减少到0.3
技术聚焦:氮化物材料 27 催化剂板 (图2)。晶片和催化剂板独 于酸性的 立地转动
28 技术聚焦:LED制造 纳米柱支持单片多波长发光 日本上智大学宣称第一次在单一生长过程中制
技术聚焦:LED制造 29 纳米柱的生长顺序是: Si掺杂n型 LED的1
30 技术聚焦: LED制造 空气通道和纳米多孔结构提高 了氮化物LED的光输出 由于改进了光
技术聚焦:LED制造 31
32 技术聚焦: 硅上III-V族晶体管 迈向GaN HEMT器件和CMOS 的集成 新加坡研
漏电流是3.8x10-3mA/mm。 小信号增益频率性能在6GHz和 40GHz范围进行了测试。
34 技术聚焦: 碳化硅 碳化硅外延的市场在扩大 6英寸衬底的转移和新兴市场的出现推动SiC
技术聚焦: 碳化硅 35 图2. 东京电
36 技术聚焦: 碳化硅 成。 经过客户广泛的测试预发行的样品 之后, Norstel将很快
技术聚焦: 氮化物LEDs 37 k-Space Associates, Inc.
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